科技日?qǐng)?bào)首爾9月11日電 （記者薛嚴(yán)）韓國(guó)半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三星電子和SK海力士近期針對(duì)第六代10納米級(jí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。

　　SK海力士于8月底宣布開發(fā)出業(yè)界首款第六代10納米級(jí)DRAM芯片。該芯片運(yùn)行速度為8Gbps（千兆比特/秒），與前一代相比速度提高了11%，將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心。SK海力士表示，該芯片比前一代的能效提高了9%以上，在當(dāng)前人工智能蓬勃發(fā)展的時(shí)期，可幫助數(shù)據(jù)中心減少多達(dá)30%的電力成本。

　　三星電子半導(dǎo)體部門目前正在對(duì)干式光刻膠技術(shù)進(jìn)行內(nèi)部評(píng)估，計(jì)劃率先將其應(yīng)用于三星電子10納米級(jí)第六代DRAM中。干式光刻膠技術(shù)用于半導(dǎo)體電路曝光工藝之前。在當(dāng)前曝光工藝條件下，會(huì)在晶圓上涂抹一種對(duì)光敏感的液體光刻膠。干式光刻膠技術(shù)則無需涂抹液體光刻膠，通過化學(xué)反應(yīng)在晶圓上形成一層薄膜，較涂抹液體光刻膠更薄且更均勻。此外，干式光刻膠還能更精確地刻出超微細(xì)電路，并且相較液體光刻膠的材料浪費(fèi)更少。

　　三星電子正在考慮在10納米級(jí)第六代DRAM的40—50層堆疊中，將干式光刻膠技術(shù)用于某一層電路的制造。此外，這項(xiàng)技術(shù)也將用于超微細(xì)電路的極紫外光（EUV）光刻膠。如果三星電子成功將干式光刻膠技術(shù)用于量產(chǎn)，將對(duì)現(xiàn)有光刻材料與設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)生重大影響。